Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Photo-semiconductor device | |
| 其他题名 | Photo-semiconductor device |
| MORIMOTO MASAHIRO | |
| 1983-09-24 | |
| 专利权人 | FUJITSU KK |
| 公开日期 | 1983-09-24 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | PURPOSE:To improve the current-photooutput characteristics, etc. of semiconductor laser by a method wherein island formed semiconductor layers which contain active regions having a fixed photo-resonator length, and films for reflection control are provided. CONSTITUTION:Epitaxially grown on a semiconductor substrate 1, the island formed semiconductor layers 2-6 which contain active regions having a fixed photo-resonator length are formed. The films 8 for reflection control are selectively arranged on end surfaces of a photoresonator of the active region of the layer 6, and electrode layers 9 are arranged on the layer 6. The films 8 control the photo-reflection factor at the end surface A serving as one reflection surface of the photo-resonator. Thus, the current-photo output characteristic of single semiconductor laser is improved. By applying it to the manufacture ture of a composite semiconductor device, the improvement of characteristic and reliability and the miniaturization of the device are enabled. |
| 其他摘要 | 目的：通过一种方法改善半导体激光器的电流 - 光输出特性等，其中提供包含具有固定光电谐振器长度的有源区的岛形半导体层和用于反射控制的膜。组成：在半导体衬底1上外延生长，岛形成半导体层2-6，其包含具有固定光电谐振器长度的有源区。用于反射控制的膜8选择性地布置在层6的有源区的光致变色器的端面上，并且电极层9布置在层6上。膜8控制在端面A处的光反射系数。作为光电谐振器的一个反射表面。因此，改善了单个半导体激光器的电流 - 光电输出特性。通过将其应用于复合半导体器件的制造，能够改善特性和可靠性以及器件的小型化。 |
| 申请日期 | 1982-03-19 |
| 专利号 | JP1983161389A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1982043753 |
| 公开（公告）号 | JP1983161389A |
| IPC 分类号 | H01L27/15 | H01L27/14 | H01S5/00 | H01S5/026 | H01S5/10 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87762 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MORIMOTO MASAHIRO. Photo-semiconductor device. JP1983161389A[P]. 1983-09-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1983161389A.PDF（196KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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