Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor device | |
| 其他题名 | Semiconductor device |
| YOKOGAWA, TOSHIYA; OGURA, MOTOTSUGU | |
| 1989-09-12 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
| 公开日期 | 1989-09-12 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A semiconductor device in which a strained-layer of super-lattice composed of two or more group II-IV semiconductors grown on an epitaxial growth layer formed on a surface of a semiconductor substrate. Since the strained-layer of super-lattice composed of two or more group II-VI semiconductors is present in the heterojunction of the heterostructure, it is possible to form a favorable heterostructure seminconductor layer, inhibiting the adverse effects of lattice mismatch. |
| 其他摘要 | 一种半导体器件，其中由在外延生长层上生长的两个或更多个II-IV族半导体组成的超晶格应变层形成在半导体衬底的表面上。由于由两种或更多种II-VI族半导体组成的超晶格的应变层存在于异质结构的异质结中，因此可以形成有利的异质结构的导体层，从而抑制晶格失配的不利影响。 |
| 申请日期 | 1987-07-22 |
| 专利号 | US4866489 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US07/076549 |
| 公开（公告）号 | US4866489 |
| IPC 分类号 | G02F1/355 | G02F1/35 | H01L27/146 | H01S5/347 | H01S5/00 | H01S5/026 | G02F1/37 | G02F1/017 | G02F1/01 | H01S5/32 | H01S5/34 | H01S5/02 | H01S5/20 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | WENDEROTH,LIND & PONACK |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87715 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YOKOGAWA, TOSHIYA,OGURA, MOTOTSUGU. Semiconductor device. US4866489[P]. 1989-09-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US4866489.PDF（226KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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