Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| ウエハとそれを用いた発光素子 | |
| 其他题名 | ウエハとそれを用いた発光素子 |
| 松下 保彦; 上田 康博; 國里 竜也; 狩野 隆司 | |
| 1997-09-05 | |
| 专利权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 公开日期 | 1997-09-05 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 結晶性のよい半導体層を形成したウエハ及び発光に寄与する層の結晶性を良好とし、高輝度の発光素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板1と、基板1上に形成された窒化化合物系半導体からなるバッファ層2と、バッファ層2上に形成された第1導電型の窒化化合物系半導体からなるクラッド層3と、第1導電型の窒化化合物系半導体からなるクラッド層3上に形成された活性層4と、活性層4上に形成された第2導電型の窒化化合物系半導体からなるクラッド層5を備えた発光素子であって、バッファ層2はAl1-xGaxN(0≦x1-yGayN(0≦y<1)からなり、且つ組成比xと組成比yが略等しい。 |
| 其他摘要 | 具体实施方式：本发明的目的是提供一种具有高结晶度的发光元件，其使得具有形成良好结晶性的半导体层的晶片和有助于发光的层优异。 由在基板上形成的氮化物化合物半导体形成的缓冲层，由在缓冲层上形成的第一导电类型的氮化物半导体基半导体形成的包层，在由第一导电类型的氮化物化合物半导体制成的包层3上形成的有源层4和在有源层4上形成的由第二导电类型的氮化物化合物半导体制成的包层5缓冲层2由Al 1 - x Ga x N（0≤x 1-y Ga y N（0≤y<1）组成，并且组分比x和组分比y基本相等。 |
| 申请日期 | 1996-02-26 |
| 专利号 | JP1997232630A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996038527 |
| 公开（公告）号 | JP1997232630A |
| IPC 分类号 | H01L33/34 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L21/205 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 岡田 敬 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87597 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松下 保彦,上田 康博,國里 竜也,等. ウエハとそれを用いた発光素子. JP1997232630A[P]. 1997-09-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997232630A.PDF（21KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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