半導体発光装置

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	半導体発光装置
其他题名	半導体発光装置
	田中俊明
	2000-03-03
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	2000-03-03
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	(修正有) 【解決手段】発光装置において、基板面に垂直な共振器構造を設けることにより、基板の上面または基板の裏面から光を取り出す構成とする。光導波層や発光活性層からなる垂直共振器構造を作製し、導波路や光学レンズを集積化することにより、コンパクトな面型機能光素子を形成する。【効果】基板に垂直な面型の発光素子を形成でき、かつ従来技術の面発光レーザ素子では困難な高出力特性を実現できる。また、集積化に適する共振器構造を有しており、微小な領域に活性層を並列したアレイビーム光源としたり光学レンズや変調器との集積化を容易にした。この結果、光学系のレンズや光ファイバーへのカップリング効率を向上させ、レーザ光の利用効率を改善した。高密度で高速に情報信号処理が行なえる光ディスクや光ファイバ通信システム装置をより簡便な構成によって達成した。
其他摘要	要解决的问题：通过提供与基板直接接触的发光有源层或与设置在基板上的介电绝缘膜接触，在精细区域中形成高密度的激光光源。解决方案：首先，形成由在形成于绝缘膜掩模4中的开口窗口部分中选择性地形成的多边形半导体晶体形成的光波导层。然后，通过在横向形成的光波导路径5的侧表面上设置发光有源层6，构成垂直于衬底表面的有源层结构和垂直谐振器。在该过程中，作为用于选择性生长的掩模的绝缘膜4与横向形成的发光有源层6的端部接触，并且绝缘膜4具有其中DBR结构的多周期高反射膜8的结构。提供了由至少两种不同折射率的电介质组成的电极。因此，通过构成垂直谐振器，通过从横向注入电流并通过谐振和放大传播的引导光来振荡激光束，可以在发光有源层6中产生光学增益，该垂直谐振器的光学反射镜是高反射膜4 ，8。
申请日期	1998-08-19
专利号	JP2000068584A
专利状态	失效
申请号	JP1998232554
公开（公告）号	JP2000068584A
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/00
专利代理人	小川勝男
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87495
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	田中俊明. 半導体発光装置. JP2000068584A[P]. 2000-03-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000068584A.PDF（87KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文