Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor laser | |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| ERBERT, GOTZ; TRANKLE, GUNTHER; WENZEL, HANS | |
| 2005-11-01 | |
| 专利权人 | OSRAM GMBH |
| 公开日期 | 2005-11-01 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A semiconductor laser has an antiresonant waveguide (10), which is formed by a layer sequence applied to a substrate (1). The layer sequence has outer waveguide regions (2, 8), reflection layers (3, 7), and a waveguide core (11) with an active layer (5). With this structure, semiconductor lasers with only slight vertical beam divergence and with a large beam cross section can be produced. |
| 其他摘要 | 半导体激光器具有反谐振波导（10），其由施加到基板（1）的层序列形成。层序列具有外部波导区域（2,8），反射层（3,7）和具有有源层（5）的波导芯（11）。利用这种结构，可以制造仅具有轻微垂直光束发散并具有大光束横截面的半导体激光器。 |
| 申请日期 | 2001-09-20 |
| 专利号 | US6961358 |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | US10/381177 |
| 公开（公告）号 | US6961358 |
| IPC 分类号 | H01S5/20 | H01S5/00 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | COHEN,PONTANI,LIEBERMAN & PAVANE |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87468 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OSRAM GMBH |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ERBERT, GOTZ,TRANKLE, GUNTHER,WENZEL, HANS. Semiconductor laser. US6961358[P]. 2005-11-01. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US6961358.PDF（119KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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