分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法

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	分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法
其他题名	分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法
	阿部博明; 青野園子
	1998-06-30
专利权人	アルプス電気株式会社
公开日期	1998-06-30
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】本発明は、位相シフト領域を有し、高アスペクト比の微細なグレーティングを表面部に有する電子機器および分布帰還型半導体レーザを製造する方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、半導体基板12上のコンタクト層16の上にレジスト層31を成膜し、その表面に2光束干渉露光法により凸部45を複数一方向に並べて形成し、該凸部を境界凸部45'を境にして2群に分けて境界凸部を含めた一方の群の凸部の同一側の斜面に金属膜48を、他方の群における各凸部の反対側の斜面に金属膜48'を斜法蒸着し、前記金属膜48、48'をマスクとしてエッチングして凹凸部を形成し、ついで前記レジスト層を除去して露出したコンタクト層上に前記凹部の複数並んだ方向に延びるストライプ溝19を形成し、更に電流ストップ層17及び電極層18を形成するものである。
其他摘要	要解决的问题：为了获得分布式反馈半导体激光器，其中通过一种方法抑制阈值电流的不规则性，其中从电极层到达蚀刻停止层并且其截面是四边形的凹陷部分以规定的间隔形成，以便在条纹槽的方向上并排形成。解决方案：由于通过反应离子蚀刻操作几乎不产生侧面蚀刻部分，因此凹陷部分中的孔宽度的尺寸可以形成为严格的尺寸。在使用突出部分作为掩模的同时，通过湿法蚀刻操作蚀刻第二覆层的上层15B，在上层15B中形成多个凹陷部分52，以及与上层15B相邻的突出部分53。形成多个凹陷部分53。由于蚀刻InGaAs蚀刻停止层10的速度非常慢，因此在蚀刻停止层10处停止蚀刻操作，并且多个凹陷部分52均匀地深。在蚀刻停止层10上可以依次放置在条纹槽方向上并排形成并且其横截面是四边形的多个凹陷部分52中的底部部分，如果半导体激光器是耦合因子的不规则性。排除，可以稳定耦合因子，并且可以抑制激光振荡的阈值电流的不规则性。
申请日期	1996-12-17
专利号	JP1998178237A
专利状态	失效
申请号	JP1996337304
公开（公告）号	JP1998178237A
IPC 分类号	H01S \| H01S5/12 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	志賀正武 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87447
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	アルプス電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	阿部博明,青野園子. 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法. JP1998178237A[P]. 1998-06-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1998178237A.PDF（134KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文