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半導体偏波回転素子
其他题名半導体偏波回転素子
曲 克明; 川口 悦弘; 吉本 直人; 永沼 充
1998-03-24
专利权人NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期1998-03-24
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】 作製歩留まりの高い半導体偏波回転素子を提供する。 【解決手段】 (100)面を主面とするInP基板21上に[001]方向に光導波層22を形成し、この上にInPサイドクラッド層23を形成する。さらに、この上に、片側が傾斜面が形成され、内部に[001]方向に導波層を有するリッジ構造体40を一定周期で左右反転させて[001]方向に連続して並べて形成した半導体偏波回転素子を構成する。これにより、高効率で作製歩留まりの高い偏波回転素子や利得の偏波依存性の非常に小さな半導体偏波回転素子を実現することができる。
其他摘要要解决的问题:提供高产量的半导体偏振旋转元件。解决方案:在具有(100)面作为其主表面的InP衬底21上以[001]方向形成光波导层22,并在其上形成InP侧包覆层23。此外,在一侧形成有斜面并且在[001]方向内部具有波导层的脊结构体40在特定周期横向反转并且在[001]方向上连续排列,由此半导体极化旋转元件构成。结果,实现了具有高效率和高产量的偏振旋转元件和具有极小的增益依赖性的半导体偏振旋转元件。
申请日期1996-09-04
专利号JP1998078521A
专利状态失效
申请号JP1996234483
公开(公告)号JP1998078521A
IPC 分类号G02B6/126 | H01S5/00 | H01S3/18
专利代理人吉田 精孝
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87416
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
曲 克明,川口 悦弘,吉本 直人,等. 半導体偏波回転素子. JP1998078521A[P]. 1998-03-24.
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JP1998078521A.PDF(66KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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