半導体レーザ装置の製造方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザ装置の製造方法
其他题名	半導体レーザ装置の製造方法
	弓削省三
	2009-01-22
专利权人	株式会社東芝
公开日期	2009-01-22
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】コンタクト層との成長界面の抵抗を抑制することが可能な半導体レーザ装置の製造方法を提供する。【解決手段】n型GaAs基板10の表面に、クラッド層12、32、活性層13、49、クラッド層14、36、エッチングストップ層15、37、クラッド層16、38、キャップ層18、40、及び保護層19、41等を有する構造体を形成し、この構造体の保護層19、41の表面に酸化シリコンを形成し、パターニングされたマスク45、46として、エッチングストップ層15、37までエッチング加工を行い、レーザ光を放出するストライプ構造の光導波路構造部48、49を形成し、マスク45、46上に開口を有し、光導波路構造部48、49を被う電流ブロック層51を形成し、マスク45、46及び保護層19、41をエッチング除去して、その後、キャップ層18、40及び電流ブロック層51を被うコンタクト層53を形成する工程とを備える。【選択図】図4
其他摘要	要解决的问题：提供一种能够抑制具有接触层的生长界面的电阻的半导体激光器件的制造方法。解决方案：半导体激光器件的制造方法包括以下工艺：形成包括包层12和32的结构，有源层13和49，包层14和36，蚀刻停止层15和37，包层16和38，帽在n型GaAs衬底10的表面上的层18和40以及保护层19和41等，在结构的保护层19和41的表面上形成氧化硅，获得图案化的掩模45和46，对蚀刻停止层15和37执行蚀刻工作，形成用于发射激光束的条形结构的光波导结构部分48和49，形成具有开口并覆盖光波导结构部分48和49的电流阻挡层51。掩模45和46，蚀刻和去除掩模45和46以及保护层19和41，然后形成覆盖盖层18和40以及电流阻挡层51的接触层53。 Ž
申请日期	2007-07-04
专利号	JP2009016566A
专利状态	失效
申请号	JP2007176505
公开（公告）号	JP2009016566A
IPC 分类号	H01S5/22 \| H01S5/00
专利代理人	堀口浩
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87402
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社東芝
推荐引用方式 GB/T 7714	弓削省三. 半導体レーザ装置の製造方法. JP2009016566A[P]. 2009-01-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2009016566A.PDF（321KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文