Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor

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	Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor
其他题名	Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor
	SHAKUDA, YUKIO
	1998-05-12
专利权人	ROHM CO., LTD.
公开日期	1998-05-12
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A semiconductor light emitting device of double hetero junction includes an active layer and clad layers. The clad layers include an n-type layer and p-type layer. The clad layers sandwich the active layer. A band gap energy of the clad layers is larger than that of the active layer. The band gap energy of the n-type clad layer is smaller than of the p-type clad layer.
其他摘要	双异质结的半导体发光器件包括有源层和包层。包层包括n型层和p型层。包层将有源层夹在中间。包层的带隙能量大于有源层的带隙能量。 n型覆盖层的带隙能量小于p型覆盖层的带隙能量。
申请日期	1995-09-14
专利号	US5751752
专利状态	失效
申请号	US08/528308
公开（公告）号	US5751752
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/32 \| H01S5/00 \| H01S5/323 \| H01S5/20 \| H01L33/32 \| H01S3/19
专利代理人	-
代理机构	NIKAIDO MARMELSTEIN MURRAY & ORAM LLP
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87361
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ROHM CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	SHAKUDA, YUKIO. Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor. US5751752[P]. 1998-05-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5751752.PDF（1707KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文