Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 水由 明 | |
| 1999-12-24 | |
| 专利权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 公开日期 | 1999-12-24 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 リッジ構造を有する半導体レーザにおいて、電流狭窄幅と光閉込め幅とを各々独立に制御可能とし、それにより、確実に光閉込めの範囲内に電流狭窄する。また素子抵抗の増大を抑えて、しかも高い歩留まりで製造できるようにする。 【解決手段】 クラッド層17、20にリッジ構造が形成された半導体レーザにおいて、リッジ構造を、比較的幅の狭い第1リッジ部31と、この第1リッジ部31よりも活性層14に近い側に形成され、該第1リッジ部31とは幅が不連続でそれよりも広い幅とされた第2リッジ部32とから構成する。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过独立控制具有脊结构的半导体激光器中的电流收缩宽度和光限制宽度，确保将电流限制在光限制范围内，并制造激光器，此外通过抑制产生高产量元素电阻的增加。解决方案：在包层17和20上形成脊结构的半导体激光器中，脊结构由相对窄的第一脊部31和形成在更靠近的侧的第二脊部32构成。有源层14具有第一脊部31，并且与第一脊部31的宽度相比具有不连续的宽度和更大的宽度。 |
| 申请日期 | 1998-06-08 |
| 专利号 | JP1999354882A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998158785 |
| 公开（公告）号 | JP1999354882A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 柳田 征史 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87342 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 水由 明. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1999354882A[P]. 1999-12-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999354882A.PDF（31KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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