多波長半導体レーザー

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	多波長半導体レーザー
其他题名	多波長半導体レーザー
	トーマス·エル·パオリ
	1993-08-27
专利权人	XEROX CORP
公开日期	1993-08-27
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	(修正有) 【目的】二つまたはそれ以上の波長で光を同軸に放射し、活動領域が選択した出力波長または出力波長域で提供された利得増加に適切な構造を有するような半導体レーザーの提供。【構成】複数の層を含み、1以上の層が担体閉じ込め(多量子井戸)活動層18を含み、上記層の上記活動領域内に含まれる少なくとも二つの閉じ込め領域(量子井戸)は、第1の領域(量子井戸)の一つの量子準位が第2の領域(量子井戸)の別の量子準位と同一のエネルギー準位となるように形成される形式をなす多波長半導体レーザーである。二つの閉じ込め領域(量子井戸)の間の量子準位の整列によって一つの領域からの担体の再結合が他の領域からの担体の再結合を増加させ、均等な動作の短波長および長波長双方の出力強度となるレーザー案内層内の適切な領域配置はまた所望する出力モード、例えば基本モードTE00に出力強度プロファイルを合致させることが容易となる。
其他摘要	目的：通过构建多量子阱作用层的量子阱，获得具有短波长输出强度和均匀运动长波长的多波长二极管激光光源，使不同数量的能带与能带成对齐。至少有两个相邻的量子阱。组成：在量子阱激光器结构10，n型Alx Ga1-x As涂层14，Aly Ga1-y As（其中x> y）引导层16，GaAs量子阱层18，Aly Ga1-y作为引导层20，p型AlxGa1-xAs涂层22和p +型保护层24外延地设置在n型GaAs板12上.GaAs量子阱作用层18包括多个交替层26,28，由GaAs和Alz Ga1-z As（其中z> = y）形成。因此，通过使用同一作用层内的两个量子阱中的能带的对准，改善了相应输出波长的增益并减小了激光振荡所需的阈值电流。
申请日期	1992-10-09
专利号	JP1993218576A
专利状态	失效
申请号	JP1992271955
公开（公告）号	JP1993218576A
IPC 分类号	H01S3/106 \| H01S5/042 \| H01S5/062 \| H01S5/02 \| H01S \| H01S5/06 \| H01S5/343 \| H01S3/08 \| H01S5/34 \| H01S5/00 \| H01S5/40 \| H01S3/18
专利代理人	小堀益
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87257
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	XEROX CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	トーマス·エル·パオリ. 多波長半導体レーザー. JP1993218576A[P]. 1993-08-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1993218576A.PDF（137KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文