Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 駒崎 岩男 | |
| 1993-09-10 | |
| 专利权人 | OLYMPUS OPTICAL CO LTD |
| 公开日期 | 1993-09-10 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】本発明は、単一モード制御発振を得ることができ、かつ熱発生に伴う歪,転位の界面への集中を回避して高信頼性,高出力,低非点収差にすることを主要な目的とする。 【構成】第1導電型のGaAs基板(21)上に、第1導電型の第1クラッド層(22)、前記基板と同程度のバンドギャップを有する半導体層よりなる活性層(23)及び第2導電型のメサ状第2クラッド層(24)を設け、かつ前記第2クラッド層を第1導電型の電流ブロック層で埋めてなる半導体レーザにおいて、前記第2クラッド層(24)と電流ブロック層(26)との間に、所定の性質をもつ第2導電型のGaAs層(27)を設けたことを特徴とする半導体レーザ。 |
| 其他摘要 | 目的：通过在第二包层和电流阻挡层之间提供具有预定特性的第二导电类型GaAs层，稳定水平横模控制，从而确保单模控制振荡。组成：在基板21上通过MOVPE在n型AlGaAs第一包层22，GaAs有源层23和p型GaAs覆盖层25上形成。在形成于有源层23上的包层部分上的台面条的侧表面上形成n型GaAs电流阻挡层26.第二导电类型GaAs层27，厚度为0.1μm或更小，具有高纯度和高电阻因此，在第二包层24和电流阻挡层26之间提供了水平横向模式控制，从而确保了单模控制振荡。 |
| 申请日期 | 1992-02-25 |
| 专利号 | JP1993235472A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992038025 |
| 公开（公告）号 | JP1993235472A |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87134 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OLYMPUS OPTICAL CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 駒崎 岩男. 半導体レーザ. JP1993235472A[P]. 1993-09-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993235472A.PDF（33KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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