Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体光素子 | |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 直江 和彦 | |
| 1999-09-17 | |
| 专利权人 | 株式会社日立製作所 |
| 公开日期 | 1999-09-17 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】劈開工程に起因する半導体光素子の特性不良を低減し、かつ劈開工程における素子歩留まりを飛躍的に向上させる。 【解決手段】半導体素子表面光導波路方向と垂直方向に、キャビティを構成しない側の素子端面からもう一方の同端面に渡ってストライプ状の裏面電極を形成しかつ、半導体光素子表面光導波路方向と垂直方向にのみ半導体基板材料で構成された劈開しろを形成した構造をとる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过仅在垂直于半导体光学元件表面上的台面型光波导的方向上在未分离晶片的后表面中形成隔离解理并且不形成来减少缺陷特性，同时增加切割过程中的产量平行方向的解理。解决方案：在InP衬底上的半导体光学元件的表面上形成以垂直于台面型光波导110的方向的初级解理隔离线为中心的条状光致抗蚀剂图案之后执行蚀刻。在InP的下层材料中形成条状后电极1201以及隔离劈裂边缘1202。条纹状后电极1201和隔离劈裂边缘不在与台面型光波导110的方向平行的方向上形成。该结构防止在初级解理过程中由在平行方向上形成的劈裂边缘引起的不规则横向裂缝。 。 |
| 申请日期 | 1998-03-04 |
| 专利号 | JP1999251682A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998051786 |
| 公开（公告）号 | JP1999251682A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87044 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 直江 和彦. 半導体光素子. JP1999251682A[P]. 1999-09-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999251682A.PDF（119KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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