Semiconductor device

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Semiconductor device
其他题名	Semiconductor device
	FURUMIYA SATOSHI; MORIMOTO MASAHIRO
	1986-05-16
专利权人	FUJITSU LTD
公开日期	1986-05-16
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To contrive to improve the reliability by preventing the deterioration in element characteristics by a method wherein an electrode is formed by a coat of Ti layer on a semiconductor contact layer, next a coat or more of Pt layer and Ti layer in this order, and successive coats of Pt layer and Au layer thereon. CONSTITUTION:As the p-electrode, using electron beam deposition, the contact layer 6 is coated first with a Ti layer 7 and next with Ti-layers/Pt-layers by five-time repetition in this order, resulting in the formation of an intermediate multilayer structure 11; finally, it is coated with a Pt-layer 8, which is then coated with an Au layer 9 by a normal electrolytic plating. Thereafter, heat treatment is carried out to take ohmic contact between the contact layer 6 and the Ti layer 7. Next, after adhesion of an Au-Ge-Ni layer 10 as the n- electrode, ohmic contact is taken by forming an alloy layer on heat treatment. Then, the resonator is formed by cleavage in the direction parallel with the drawing.
其他摘要	目的：通过一种方法防止元件特性恶化来提高可靠性，其中通过在半导体接触层上涂覆Ti层形成电极，然后依次涂覆Pt层和Ti层或更多层，在其上连续涂覆Pt层和Au层。组成：作为p电极，使用电子束沉积，接触层6首先涂有Ti层7，接着涂有Ti层/ Pt层，按此顺序重复五次，导致形成中间多层结构11;最后，涂覆Pt层8，然后通过常规电解电镀涂覆Au层9。之后，进行热处理以使接触层6与Ti层7之间形成欧姆接触。接着，在粘附作为n电极的Au-Ge-Ni层10之后，通过形成合金层来进行欧姆接触。热处理。然后，通过在与图平行的方向上的解理形成谐振器。
申请日期	1984-10-18
专利号	JP1986097890A
专利状态	失效
申请号	JP1984218914
公开（公告）号	JP1986097890A
IPC 分类号	H01L33/14 \| H01L33/30 \| H01L33/40 \| H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86967
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	FURUMIYA SATOSHI,MORIMOTO MASAHIRO. Semiconductor device. JP1986097890A[P]. 1986-05-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1986097890A.PDF（141KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文