Semiconductor laser element

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	Semiconductor laser element
其他题名	Semiconductor laser element
	ISHIKAWA MAKOTO
	1991-03-07
专利权人	NEC CORP
公开日期	1991-03-07
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To lessen light absorbed near the end face of a resonator small in volume and to obtain a high optical damage level so as to realize a semiconductor laser element high in output power by a method wherein a lateral mode controlled type semiconductor laser element is provided, where the part near the end face of a resonator is made smaller than that inside it in resistance. CONSTITUTION:An N-Al0.45Ga0.55As clad layer 2, an Al0.15Ga0.85As active layer 3, a P-Al0.45Ga0.55As clad layer 4, and a P-GaAs cap layer 5 are successively formed on an N-GaAs substrate Next, an inverted mesa stripe is formed in a direction parallel with a direction through a wet etching by phosphoric acid using SiO2 as a mask. Therefore, the P-clad layer 4 is formed on the active layer outside the inverted mesa. Thereafter, an N-GaAs current block layer 6 is formed outside the mesa through an MOVPE method using SiO2 as a mask. By the function of the current block layer 6, not only a current can be effectively injected into a light emitting section but also the stabilization of a horizontal mode can be realized. Moreover, a Zn diffusion region 9 is formed on the mesa stripe through a new SiO2 mask. Lastly, an N-side electrode 7 and a P-side electrode 8 are formed, a cleavage plane is formed on an intermediate point of the Zn diffusion region 9 to form a laser element whose resonator is 300mum long.
其他摘要	用途：减少体积小的谐振器端面附近吸收的光，并获得高光学损伤水平，以便通过提供横向模式控制型半导体激光元件的方法实现高输出功率的半导体激光元件其中靠近谐振器端面的部分小于其内部电阻的部分。组成：在N上依次形成N-Al0.45Ga0.55As包层2，Al0.15Ga0.85As有源层3，P-Al0.45Ga0.55As包层4和P-GaAs盖层5 -GaAs衬底接下来，通过使用SiO 2作为掩模的磷酸的湿法蚀刻，在与方向平行的方向上形成倒置的台面条。因此，P-包覆层4形成在倒置台面外部的有源层上。此后，通过使用SiO 2作为掩模的MOVPE方法在台面外部形成N-GaAs电流阻挡层6。通过电流阻挡层6的功能，不仅可以将电流有效地注入发光部分，而且可以实现水平模式的稳定。此外，通过新的SiO2掩模在台面条上形成Zn扩散区9。最后，形成N侧电极7和P侧电极8，在Zn扩散区9的中间点上形成解理面，以形成谐振器长度为300m的激光元件。
申请日期	1989-07-21
专利号	JP1991053580A
专利状态	失效
申请号	JP1989189548
公开（公告）号	JP1991053580A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/028 \| H01S5/042 \| H01S5/16 \| H01S5/223 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86862
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	ISHIKAWA MAKOTO. Semiconductor laser element. JP1991053580A[P]. 1991-03-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1991053580A.PDF（157KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文