面発光半導体レーザ

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	面発光半導体レーザ
其他题名	面発光半導体レーザ
	田所貴志; 川上剛司
	1994-12-13
专利权人	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
公开日期	1994-12-13
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】 100℃以上でボンディングを行っても、反射率増強のための金属膜の効果を十分に利用して、反射鏡の反射率を向上させることができる面発光半導体レーザを提供する。【構成】ヒートシンクにボンディングする側が、発光層8に近い方から反射鏡、第1の金属膜13、誘電体膜14、第2の金属膜12の順で構成することにより、100℃以上でボンディングを行っても、反射率増強のための第1の金属膜13とボンディング用金属との合金化が生じないため、第1の金属膜13による反射率増強効果を十分利用でき、反射鏡の膜厚を著しく減少させることが可能となる。また、ボンディングを行うことで効果的に放熱を行うことができるため、この素子はボンディングに用いる金属の融点以下であれば安定に動作させることが可能となる。
其他摘要	用途：通过依次形成镜子来提高反射镜的反射率，用于增加反射率的第一金属膜，介电膜，第二金属膜，从接近的一侧的发光层附近依次形成散热器。组成：在单晶InP半导体衬底6上形成具有单晶InP和单晶InGaAsP的半导体多层膜反射镜7.然后，单晶InGaAsP发光层8，单晶InP层叠包层9和单晶InGaAsP的接触层10。之后，形成由具有不同折射率的两种类型的电介质制成的多层膜反射镜15，并且在层10上层叠具有低折射率的介电元件。然后，在形成单金属的金属膜13之后，电介质膜14被层叠。在层10上避免薄膜14的部分上形成欧姆电极11之后，在薄膜14和电极11上形成金属薄膜12.因此，即使在100℃下进行粘合或更高，可以提高镜子的反射率。
申请日期	1993-06-02
专利号	JP1994342958A
专利状态	失效
申请号	JP1993132199
公开（公告）号	JP1994342958A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	吉田精孝
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86806
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON TELEGR & TELEPH CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	田所貴志,川上剛司. 面発光半導体レーザ. JP1994342958A[P]. 1994-12-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994342958A.PDF（37KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文