Semiconductor light emitting device

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	Semiconductor light emitting device
其他题名	Semiconductor light emitting device
	FURUMIYA SATOSHI
	1984-06-29
专利权人	FUJITSU KK
公开日期	1984-06-29
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To improve the light emitting efficiency of a light emitting device of double hetero structure formed of semiconductor of InGaAsP/InP series by composing the conductive type of regions between which an active layer is interposed of an N type region which contains high density of Se, thereby enhancing the current limiting effect. CONSTITUTION:A P type lower clad layer 12 and an N type InP layer 13' formed of the lower layer of a current limiting layer are laminated and grown on a P type InP substrate 11, and opened with a V-shaped groove 32 for forming a light emitting unit which is intruded into the layer 12 while moving along the optical axis in (110) direction by etching. Then, a P type InP layer 14 to become a current limiting layer is accumulated on the overall surface including the groove, a lower clad layer 14' is produced in the groove 21, an undoped InGaAsP layer 15 is covered on the overall surface, and a delta-shaped active layer 15' having a thick center is formed on the layer 14'. In this structure, Se of approx. 1X10/cm is contained in advance in the layer 13', and the layer 15' is enclosed by an N type InP layer 13 which contains high density of Se.
其他摘要	用途：通过构成包含高密度Se的N型区域的有源层的导电类型区域，提高由InGaAsP / InP系列半导体形成的双异质结构的发光器件的发光效率从而增强了限流效果。组成：AP型下包层12和由限流层下层形成的N型InP层13'层叠并生长在P型InP基板11上，并用V形槽32打开以形成一个发光单元在通过蚀刻沿（110）方向沿光轴移动的同时侵入层12中。然后，在包括凹槽的整个表面上累积成为限流层的P型InP层14，在凹槽21中产生下包层14'，在整个表面上覆盖未掺杂的InGaAsP层15，以及在层14'上形成具有厚中心的δ形活性层15'。在这种结构中，Se约为在层13'中预先包含1×1020 / cm2，并且层15'被包含高密度Se的N型InP层13包围。
申请日期	1982-12-20
专利号	JP1984112673A
专利状态	失效
申请号	JP1982223170
公开（公告）号	JP1984112673A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/223 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86679
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJITSU KK
推荐引用方式 GB/T 7714	FURUMIYA SATOSHI. Semiconductor light emitting device. JP1984112673A[P]. 1984-06-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1984112673A.PDF（276KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文