半導体レーザの評価方法

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	半導体レーザの評価方法
其他题名	半導体レーザの評価方法
	奈良崎亘; 佐藤誠也; シングビラハムパル
	1999-07-02
专利权人	ADVANTEST CORP
公开日期	1999-07-02
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】短期間で、デバイスレベルでのレーザの評価を行うことができる面発光型半導体レーザの評価方法を提供する。【解決手段】n型基板10上に、n型DBRミラー11、活性層12、n型DBRミラー13を順次積層して成る半導体レーザについて行われる評価方法であって、n型DBRミラー11、活性層12、p型DBRミラー13をエピタキシャル成長により連続して形成した後、その形成されたp型DBRミラー13および活性層12を、所定のレジストパターンをマスクに順次エッチングしてメサ型構造に加工し、該加工後のp型DBRミラー13に出射窓および電極15aを形成するとともにn型DBRミラー11に電極15bを形成して、目的とする半導体レーザに対応するレーザ構造を得、該レーザ構造の特性を評価する。
其他摘要	要解决的问题：提供一种评估表面发射半导体激光器的方法，该方法能够在短时间内在器件级评估激光器。解决方案：该评估方法在半导体激光器上进行，其中n型DBR镜11，有源层12和n型DBR镜13顺序层叠在n型基板10上，并包括n型DBR镜11，有源通过外延生长连续形成层12和p型DBR镜13，通过使用预定的抗蚀剂图案作为掩模，顺序地蚀刻如此形成的p型DBR镜13和有源层12以具有台面结构在加工的p型DBR镜13中形成出射窗和电极15a，在n型DBR镜11中形成电极15b，以获得对应于预期的半导体激光器的激光器结构评估特征。
申请日期	1997-12-16
专利号	JP1999177177A
专利状态	失效
申请号	JP1997346544
公开（公告）号	JP1999177177A
IPC 分类号	B21D22/20 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	若林忠 (外4名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86671
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ADVANTEST CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	奈良崎亘,佐藤誠也,シングビラハムパル. 半導体レーザの評価方法. JP1999177177A[P]. 1999-07-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999177177A.PDF（18KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文