Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体装置 | |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 須郷 満; 伊藤 義夫; 森 英史 | |
| 1993-03-19 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 1993-03-19 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 単結晶Siでなる半導体基板上に、単結晶III-V族化合物半導体でなる活性層を有する半導体積層体が、半導体レ—ザを構成すべく形成されている半導体装置において、活性層を残留応力の十分低いものにし、よって、半導体レ—ザを長寿命を有するものにする。
【構成】 活性層を構成している単結晶III-V族化合物半導体を、Inx (Ga1-y Aly )1-x As(0 |
| 其他摘要 | 一种半导体器件，其中具有由单晶III-V族化合物半导体制成的有源层的半导体叠层形成在由单晶硅制成的半导体衬底上，以构成半导体激光器，有源层使残余应力足够低，使半导体激光器具有长寿命。
构成有源层的单晶III-V族化合物半导体由In x （Ga 1-y Al y 制成） 1-x As（0 |
| 申请日期 | 1991-09-06 |
| 专利号 | JP1993067841A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1991254523 |
| 公开（公告）号 | JP1993067841A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 田中 正治 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86656 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須郷 満,伊藤 義夫,森 英史. 半導体装置. JP1993067841A[P]. 1993-03-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1993067841A.PDF（23KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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