Semiconductor laminated material

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	Semiconductor laminated material
其他题名	Semiconductor laminated material
	SATO SHIRO; IECHI HIROYUKI
	1988-11-28
专利权人	RICOH CO LTD
公开日期	1988-11-28
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To make high technology and complicated control unnecessary, and make it possible to form easily a GaAs epitaxial layer on an Si substrate, by stacking a GaP epitaxial layer on the main surface of the Si substrate, and stacking a GaAs epitaxial layer on the GaP epitaxial layer. CONSTITUTION:A GaP epitaxial layer 2 is stacked on an Si substrate 1, and a GaAs epitaxial layer 3 is stacked on the GaP epitaxial layer 2. As the difference of lattice constants between Si and GaP is so small that the GaP epitaxial layer 2 can easily formed. In the case of forming the GaAs epitaxial layer 3, an anti-phase domain hardly ganerates because both GaP and GaAs have a zinc-blende structure, but the the difference of lattice constants is large. In the case of large difference of lattice constants, the larger the thickness becomes, the more scarcely lattice defect caused by transition and the like generates, so that the best GaAs epitaxial layer 3 is obtained by forming the layer in thickness 50nm or more. Thereby, it is made unnecessary to form superlattice, and the forming of a uniform GaAs epitaxial layer is easily enabled.
其他摘要	目的：为了不需要高技术和复杂的控制，通过在Si衬底的主表面上堆叠GaP外延层，并在其上堆叠GaAs外延层，可以在Si衬底上容易地形成GaAs外延层。 GaP外延层。组成：GaP外延层2堆叠在Si衬底1上，GaAs外延层3堆叠在GaP外延层2上。由于Si和GaP之间的晶格常数差异很小，GaP外延层2可以容易形成。在形成GaAs外延层3的情况下，由于GaP和GaAs均具有闪锌矿结构，因此反相畴几乎不会发生焦化，但晶格常数的差异很大。在晶格常数差异大的情况下，厚度变得越大，由过渡等引起的晶格缺陷越少，因此通过形成厚度为50nm或更大的层来获得最佳的GaAs外延层3。因此，不需要形成超晶格，并且容易形成均匀的GaAs外延层。
申请日期	1987-05-21
专利号	JP1988289812A
专利状态	失效
申请号	JP1987122659
公开（公告）号	JP1988289812A
IPC 分类号	H01L21/20 \| H01L27/15 \| H01L33/04 \| H01L33/10 \| H01L33/14 \| H01L33/20 \| H01L33/28 \| H01L33/30 \| H01L33/34 \| H01S5/00 \| H01L33/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86642
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	RICOH CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	SATO SHIRO,IECHI HIROYUKI. Semiconductor laminated material. JP1988289812A[P]. 1988-11-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988289812A.PDF（247KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文