Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 化合物半導体基板 | |
| 其他题名 | 化合物半導体基板 |
| 樋口 永 | |
| 2004-12-24 | |
| 专利权人 | 京セラ株式会社 |
| 公开日期 | 2005-03-23 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 シリコン基板上に化合物半導体層を形成した場合、この化合物半導体層の結晶性が損なわれ、またこの化合物半導体層の高抵抗化を図ることができないという問題があった。 【解決手段】 周期表第IV族の単一元素から成る基板上に、周期表第III-V族の元素から成る化合物半導体層を前記基板に連続してエピタキシャル成長させた化合物半導体基板において、前記化合物半導体層が周期表第II、IV、またはVI族の元素の少なくとも一種を、その原子濃度が前記基板との界面側で1×1017atoms·cm-3以上となり、且つ表面側で1×1017atoms·cm-3以下となるような勾配を有して含有する。 |
| 其他摘要 | 当在硅衬底上形成化合物半导体层时，化合物半导体层的结晶性受损并且化合物半导体层的电阻不能增加。 解决方案：在通过在由元素周期表第IV族的单一元素组成的基板上连续外延生长由元素周期表第III-V族元素组成的化合物半导体层而获得的化合物半导体衬底中，其中半导体层含有至少一种元素周期表第II，IV或VI族元素，原子浓度为1×10 17 atoms·cm -3 或更多并且具有梯度使得表面侧上1×10 17 原子·cm -3 或更小。 |
| 申请日期 | 1997-11-26 |
| 专利号 | JP3631600B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997324968 |
| 公开（公告）号 | JP3631600B2 |
| IPC 分类号 | H01L33/34 | H01L | H01S | H01S5/323 | H01L33/16 | H01L33/30 | H01L21/205 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01L5/323 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86632 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 京セラ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 樋口 永. 化合物半導体基板. JP3631600B2[P]. 2004-12-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3631600B2.PDF（50KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [樋口 永]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [樋口 永]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [樋口 永]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论