Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| - | |
| 其他题名 | - |
| SAWAI MASAAKI | |
| 1987-08-14 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 1987-08-14 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | PURPOSE:To prevent contamination of the surface of a laser diode and to improve the yield thereof with reverse voltage malfunction reduced by protecting a P-N junction exposed surface at least by a CVD SiO2 film. CONSTITUTION:A surface A-A' is formed as laser beam oscillating confronting surface with an SiO2 film 7 formed by sputtering in a chip having an N type GaAs crystal 1 as a main body, and an SiO2 film 8 is formed by a CVD process (Vapor phase chemical reaction accumulation) on the opposite surface B-B' in parallel with the laser beam. Since the P-N junction exposed surface is coated at least by the protective film on the chip, the reliability of the diode can be improved. |
| 其他摘要 | 用途：为了防止激光二极管表面的污染，并通过至少通过CVD SiO2膜保护P-N结暴露表面，降低反向电压误差，从而提高其产量。组成：表面AA'形成为激光束振荡面对表面，在具有N型GaAs晶体1作为主体的芯片中通过溅射形成SiO2薄膜7，并且通过CVD工艺形成SiO2薄膜8（蒸汽在与激光束平行的相对表面BB'上的相化学反应积累。由于P-N结暴露表面至少被芯片上的保护膜涂覆，因此可以提高二极管的可靠性。 |
| 申请日期 | 1979-08-29 |
| 专利号 | JP1987037832B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1979109138 |
| 公开（公告）号 | JP1987037832B2 |
| IPC 分类号 | H01L21/316 | H01S5/00 | H01S5/028 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86573 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SAWAI MASAAKI. -. JP1987037832B2[P]. 1987-08-14. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1987037832B2.PDF（99KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [SAWAI MASAAKI]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [SAWAI MASAAKI]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [SAWAI MASAAKI]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论