半導体レーザー

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	半導体レーザー
其他题名	半導体レーザー
	松本光晴; 林伸彦
	2000-03-14
专利权人	SANYO ELECTRIC CO LTD
公开日期	2000-03-14
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】良好な劈開面を得ることが困難な基板構造であっても、共振構造で且つ光出射構造を実現できる半導体レーザーを提供する。【解決手段】この半導体レーザーは、透明なサファイア基板1上に障壁層および井戸層となる2種のInGaN層を交互に積層した多重量子井戸(MQW)から成る活性層7を含む各種の半導体層を形成して成る。前記活性層7に隣接するクラッド層8であって活性領域の一方の側には反射波を生成するための回折格子パターン8b(図示せず)が形成され、活性領域の他方の側には反射波を生成するとともに前記サファイア基板1に垂直な方向にレーザー光を出射させるための回折格子パターン8aが形成されている。そして、前記サファイア基板1のレーザー光が出射することになる面には、当該レーザー光の波面を整形するためのホログラム16が形成されている。
其他摘要	要解决的问题：提供一种即使在难以获得良好解理面的基板结构中也能够实现谐振结构和发光结构的半导体激光器。解决方案：该半导体激光器包括各种半导体层，包括由多量子阱（MQW）组成的有源层7，其中作为阻挡层的两种类型的InGaN层和阱层交替地堆叠在透明蓝宝石衬底1上。以形成组成。用于产生反射波的衍射光栅图案8b（未示出）形成在有源区的一侧上，该有源区是与有源层7相邻的包层8，并且有源区的另一侧被反射。形成衍射光栅图案8a，用于在垂直于蓝宝石衬底1的方向上产生波并发射激光束。用于整形激光束波前的全息图16形成在蓝宝石衬底1的表面上，激光束从该表面发射。
申请日期	1998-08-28
专利号	JP2000077776A
专利状态	失效
申请号	JP1998242820
公开（公告）号	JP2000077776A
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/00
专利代理人	鳥居洋
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86565
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SANYO ELECTRIC CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	松本光晴,林伸彦. 半導体レーザー. JP2000077776A[P]. 2000-03-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000077776A.PDF（33KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文