Semiconductor laser device

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	Semiconductor laser device
其他题名	Semiconductor laser device
	WATANABE HITOSHI; FUJIWARA MASATOSHI; TAKEMOTO AKIRA; KAKIMOTO SHOICHI
	1990-12-10
专利权人	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
公开日期	1990-12-10
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To enable the oscillation of single wavelength without a mode skipping even at the time of high output by thickening a thickness of a barrier layer in adjacency of a region where a light density is relatively high, compared with other regions, in an element of a distributor-feedback-type semiconductor laser device comprising a barrier layer structure. CONSTITUTION:After an n-type barrier layer 6 is formed on an InGaAsP active layer 2, the both side ends are etched smoothly while leaving the center part. Furthermore, an InGaAs guide layer 4 is grown on said n-type barrier layer 6, after which diffraction gratings 5 are formed. Then, a clad layer is re-grown. Thus, if a thickness of the n-type barrier layer 6 is thicker in a specified region, the connection of the diffraction gratings and the light becomes weak in that region. Namely, a connection constant K of the diffraction gratings 5 is small. Accordingly, as the ununiformity of a light density distribution does not become so remarkable at the time of high output, the single mode oscillation can be obtained.
其他摘要	目的：通过在光密度相对较高的区域附近增厚阻挡层的厚度，即使在高输出时也能够在没有模式跳跃的情况下实现单波长的振荡，与其他区域相比，在元件中一种分配器反馈型半导体激光器件，包括阻挡层结构。组成：在InGaAsP有源层2上形成n型阻挡层6后，两个侧端平滑地蚀刻，同时留下中心部分。此外，在所述n型阻挡层6上生长InGaAs引导层4，之后形成衍射光栅5。然后，再生长包层。因此，如果n型阻挡层6的厚度在特定区域中较厚，则衍射光栅与光的连接在该区域中变弱。即，衍射光栅5的连接常数K小。因此，由于在高输出时光密度分布的不均匀性不会变得如此显着，所以可以获得单模振荡。
申请日期	1989-05-12
专利号	JP1990298091A
专利状态	失效
申请号	JP1989119227
公开（公告）号	JP1990298091A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86525
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI ELECTRIC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	WATANABE HITOSHI,FUJIWARA MASATOSHI,TAKEMOTO AKIRA,et al. Semiconductor laser device. JP1990298091A[P]. 1990-12-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990298091A.PDF（131KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文