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半导体激光器装置以及其制造方法
其他题名半导体激光器装置以及其制造方法
吉田隆幸; 上田直人; 大森弘治; 本藤拓磨; 笠井辉明
2014-09-10
专利权人松下知识产权经营株式会社
公开日期2014-09-10
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明的半导体激光器装置具有:导电性的散热部件、导电性的第1粘合剂、和半导体激光器元件。第1粘合剂设于散热部件之上,半导体激光器元件设于第1粘合剂之上。第1粘合剂在半导体激光器元件的射出激光的发射器端面部之下到达散热部件的侧面上。由此,能进一步提升半导体激光器元件的散热性,并能效率良好地取出来自半导体激光器元件的激光。
其他摘要本发明的半导体激光器装置具有:导电性的散热部件、导电性的第1粘合剂、和半导体激光器元件。第1粘合剂设于散热部件之上,半导体激光器元件设于第1粘合剂之上。第1粘合剂在半导体激光器元件的射出激光的发射器端面部之下到达散热部件的侧面上。由此,能进一步提升半导体激光器元件的散热性,并能效率良好地取出来自半导体激光器元件的激光。
申请日期2013-03-05
专利号CN104040809A
专利状态授权
申请号CN201380004402.2
公开(公告)号CN104040809A
IPC 分类号H01S5/022
专利代理人薛凯
代理机构中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86426
专题半导体激光器专利数据库
作者单位松下知识产权经营株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
吉田隆幸,上田直人,大森弘治,等. 半导体激光器装置以及其制造方法. CN104040809A[P]. 2014-09-10.
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