预切割硅衬底背面以在衬底正面上更好地生长III-V化合物层

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	预切割硅衬底背面以在衬底正面上更好地生长III-V化合物层
其他题名	预切割硅衬底背面以在衬底正面上更好地生长III-V化合物层
	李镇宇; 林忠宝; 夏兴国; 郭浩中; 徐慧君; 黄信杰
	2014-03-26
专利权人	晶元光电股份有限公司
公开日期	2014-03-26
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种装置。该装置包括具有正面和与正面相对的背面的衬底。该衬底包括从衬底背面形成的多个开口。从平面图上观看时，这些开口共同限定衬底背面上的图案。在一些实施例中，衬底是硅衬底或者是碳化硅衬底。硅衬底与开口垂直对齐的部分的竖直尺寸在约100微米至约300微米的范围内变化。在硅衬底的正面上方形成有III-V族化合物层。该III-V族化合物层是发光二极管(LED)、激光二极管(LD)以及高电子迁移率晶体管(HEMT)中一种的部件。本发明还提供了预切割硅衬底背面以在衬底正面上更好地生长III-V化合物层。
其他摘要	本发明涉及一种装置。该装置包括具有正面和与正面相对的背面的衬底。该衬底包括从衬底背面形成的多个开口。从平面图上观看时，这些开口共同限定衬底背面上的图案。在一些实施例中，衬底是硅衬底或者是碳化硅衬底。硅衬底与开口垂直对齐的部分的竖直尺寸在约100微米至约300微米的范围内变化。在硅衬底的正面上方形成有III-V族化合物层。该III-V族化合物层是发光二极管(LED)、激光二极管(LD)以及高电子迁移率晶体管(HEMT)中一种的部件。本发明还提供了预切割硅衬底背面以在衬底正面上更好地生长III-V化合物层。
申请日期	2013-01-06
专利号	CN103682007A
专利状态	失效
申请号	CN201310003794.2
公开（公告）号	CN103682007A
IPC 分类号	H01L33/12 \| H01L29/06 \| H01L29/778 \| H01L21/335 \| H01S5/02
专利代理人	章社杲 \| 孙征
代理机构	北京德恒律治知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86404
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	晶元光电股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	李镇宇,林忠宝,夏兴国,等. 预切割硅衬底背面以在衬底正面上更好地生长III-V化合物层. CN103682007A[P]. 2014-03-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103682007A.PDF（2588KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文