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铒、镱和铈离子掺杂的正硅酸盐晶体及其激光器件
其他题名铒、镱和铈离子掺杂的正硅酸盐晶体及其激光器件
王晗; 黄艺东; 陈雨金; 黄建华; 龚兴红; 林炎富; 罗遵度
2016-01-13
专利权人中国科学院福建物质结构研究所
公开日期2016-01-13
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要铒、镱和铈离子掺杂的正硅酸盐晶体及其激光器件,涉及激光晶体和器件领域。该类晶体属于单斜晶系,分子式为:(ErxYbyCezRe(1-x-y-z))2SiO5,其中x=0.002~0.02,y=0.03~0.5,z=0.01~0.6,且x+y+z≤1;Re为Sc、Y、La、Gd、Lu元素中某一元素或若干元素的组合。采用此类晶体作为增益介质,利用976nm附近波段的半导体激光泵浦,可实现高性能的55μm波段固体激光输出。
其他摘要铒、镱和铈离子掺杂的正硅酸盐晶体及其激光器件,涉及激光晶体和器件领域。该类晶体属于单斜晶系,分子式为:(ErxYbyCezRe(1-x-y-z))2SiO5,其中x=0.002~0.02,y=0.03~0.5,z=0.01~0.6,且x+y+z≤1;Re为Sc、Y、La、Gd、Lu元素中某一元素或若干元素的组合。采用此类晶体作为增益介质,利用976nm附近波段的半导体激光泵浦,可实现高性能的55μm波段固体激光输出。
申请日期2015-10-16
专利号CN105244760A
专利状态失效
申请号CN201510674088.X
公开(公告)号CN105244760A
IPC 分类号H01S5/32
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86366
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院福建物质结构研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王晗,黄艺东,陈雨金,等. 铒、镱和铈离子掺杂的正硅酸盐晶体及其激光器件. CN105244760A[P]. 2016-01-13.
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