高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器

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	高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器
其他题名	高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器
	张建伟; 宁永强; 秦莉; 刘云; 曾玉刚; 王立军
	2012-07-25
专利权人	苏州长光华芯光电技术有限公司
公开日期	2012-07-25
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体激光器技术领域，为解决现有的垂直腔面发射半导体激光器光场在P型DBR一侧的高损耗、激光器的转换效率受到限制的问题，本发明提供高效率非对称光场分布的垂直腔面发射半导体激光器，该激光器由下至上依次为N面电极、N型衬底、N型缓冲层、N型分段DBR、有源区、氧化限制层、P型分段DBR、P型盖层和P面电极；所述N型分段DBR在靠近有源区的前6-8对N型DBR的高、低折射率材料对的折射率差小于后面的高、低折射率材料对的折射率差；P型分段DBR在靠近有源区的前6-8对P型DBR的高、低折射率材料对的折射率差大于后面的高、低折射率材料对的折射率差。本发明电光转换效率高具有广泛的应用前景。
其他摘要	高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体激光器技术领域，为解决现有的垂直腔面发射半导体激光器光场在P型DBR一侧的高损耗、激光器的转换效率受到限制的问题，本发明提供高效率非对称光场分布的垂直腔面发射半导体激光器，该激光器由下至上依次为N面电极、N型衬底、N型缓冲层、N型分段DBR、有源区、氧化限制层、P型分段DBR、P型盖层和P面电极；所述N型分段DBR在靠近有源区的前6-8对N型DBR的高、低折射率材料对的折射率差小于后面的高、低折射率材料对的折射率差；P型分段DBR在靠近有源区的前6-8对P型DBR的高、低折射率材料对的折射率差大于后面的高、低折射率材料对的折射率差。本发明电光转换效率高具有广泛的应用前景。
申请日期	2012-03-23
专利号	CN102611000A
专利状态	授权
申请号	CN201210079120.6
公开（公告）号	CN102611000A
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/323
专利代理人	南小平
代理机构	长春菁华专利商标代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86319
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州长光华芯光电技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张建伟,宁永强,秦莉,等. 高效率非对称光场分布垂直腔面发射半导体激光器. CN102611000A[P]. 2012-07-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102611000A.PDF（634KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文