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一种可替换芯片的水平阵列大功率半导体激光器
其他题名一种可替换芯片的水平阵列大功率半导体激光器
刘兴胜; 张艳春; 张路; 宗恒军; 杨培彬; 袁振邦; 梁雪杰; 李锋
2010-09-22
专利权人西安炬光科技股份有限公司
公开日期2010-09-22
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种可替换芯片的水平阵列大功率半导体激光器,包括内设有液体通道的制冷器,制冷器的上端面是水平安装面,水平安装面上有多个相互平行且独立的激光器芯片安装组件,激光器芯片安装组件由芯片以及自下而上依次层叠固定的下绝缘片、正极热沉、上绝缘片、芯片负极连接片和电极连接片组成,芯片的正极面与正极热沉连接,芯片的负极面与电极连接片连接;多个激光器芯片安装组件的上端设有固定板。本发明以多个独立激光器芯片(巴条)为核心,在水平方向排列成激光器芯片安装组件阵列,多个激光器芯片安装组件共用一个制冷器,可以降低热阻提高散热能力,增加激光器的输出光功率,在外加准直系统的条件下可大大提高激光光束质量。
其他摘要本发明公开了一种可替换芯片的水平阵列大功率半导体激光器,包括内设有液体通道的制冷器,制冷器的上端面是水平安装面,水平安装面上有多个相互平行且独立的激光器芯片安装组件,激光器芯片安装组件由芯片以及自下而上依次层叠固定的下绝缘片、正极热沉、上绝缘片、芯片负极连接片和电极连接片组成,芯片的正极面与正极热沉连接,芯片的负极面与电极连接片连接;多个激光器芯片安装组件的上端设有固定板。本发明以多个独立激光器芯片(巴条)为核心,在水平方向排列成激光器芯片安装组件阵列,多个激光器芯片安装组件共用一个制冷器,可以降低热阻提高散热能力,增加激光器的输出光功率,在外加准直系统的条件下可大大提高激光光束质量。
申请日期2010-06-11
专利号CN101841127A
专利状态授权
申请号CN201010198093.5
公开(公告)号CN101841127A
IPC 分类号H01S5/024 | H01S5/40
专利代理人罗永娟
代理机构西安西交通盛知识产权代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86305
专题半导体激光器专利数据库
作者单位西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
刘兴胜,张艳春,张路,等. 一种可替换芯片的水平阵列大功率半导体激光器. CN101841127A[P]. 2010-09-22.
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CN101841127A.PDF(523KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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