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半导体激光耦合匀化装置
其他题名半导体激光耦合匀化装置
毛小洁; 秘国江; 邹跃; 庞庆生
2013-09-25
专利权人中国电子科技集团公司第十一研究所
公开日期2013-09-25
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型公开了一种半导体激光耦合匀化装置。该方法包括:半导体激光器、与半导体激光器相匹配的聚焦透镜组、以及与聚焦透镜组相匹配的匀化棒;半导体激光器,用于发射半导体激光;聚焦透镜组,用于对半导体激光器发射的半导体激光进行耦合;匀化棒,用于对进行耦合后的半导体激光进行匀化,得到均匀的半导体激光并输出。本实用新型实施例的半导体激光耦合匀化装置具有结构简单、高耦合效率、高功率、高峰值功率、以及高光束质量的优点。
其他摘要本实用新型公开了一种半导体激光耦合匀化装置。该方法包括:半导体激光器、与半导体激光器相匹配的聚焦透镜组、以及与聚焦透镜组相匹配的匀化棒;半导体激光器,用于发射半导体激光;聚焦透镜组,用于对半导体激光器发射的半导体激光进行耦合;匀化棒,用于对进行耦合后的半导体激光进行匀化,得到均匀的半导体激光并输出。本实用新型实施例的半导体激光耦合匀化装置具有结构简单、高耦合效率、高功率、高峰值功率、以及高光束质量的优点。
申请日期2013-04-09
专利号CN203218706U
专利状态授权
申请号CN201320173370
公开(公告)号CN203218706U
IPC 分类号H01S5/06
专利代理人秦莹
代理机构工业和信息化部电子专利中心
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86269
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国电子科技集团公司第十一研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
毛小洁,秘国江,邹跃,等. 半导体激光耦合匀化装置. CN203218706U[P]. 2013-09-25.
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