Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器用外延片及其制备方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光器用外延片及其制备方法 |
| 马淑芳; 田海军; 吴小强; 梁建; 董海亮 | |
| 2015-11-18 | |
| 专利权人 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 公开日期 | 2015-11-18 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器外延片及其制备方法。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-AlxGa1-xAs渐变层，n-AlxGa1-xAs下限制层，AlxGa1-xAs下波导层，有源层，AlxGa1-xAs上波导层，p-AlxGa1-xAs上限制层，p-AlxGa1-xAs渐变层,p-GaAs顶层。其制备方法是：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在n-GaAs衬底上至下而上依次外延生长各层。本发明可以减少电子散失，提高有源区内电子与空穴的辐射复合效率。可以生长出高质量的晶体，能提供更深的载流子阱和更大的增益；应变补偿量子阱具有带阶大，波长漂移速度更低和透明载流子浓度更低等优势。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器外延片及其制备方法。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-AlxGa1-xAs渐变层，n-AlxGa1-xAs下限制层，AlxGa1-xAs下波导层，有源层，AlxGa1-xAs上波导层，p-AlxGa1-xAs上限制层，p-AlxGa1-xAs渐变层,p-GaAs顶层。其制备方法是：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在n-GaAs衬底上至下而上依次外延生长各层。本发明可以减少电子散失，提高有源区内电子与空穴的辐射复合效率。可以生长出高质量的晶体，能提供更深的载流子阱和更大的增益；应变补偿量子阱具有带阶大，波长漂移速度更低和透明载流子浓度更低等优势。 |
| 申请日期 | 2015-09-14 |
| 专利号 | CN105071223A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201510583257.9 |
| 公开（公告）号 | CN105071223A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 董芙蓉 |
| 代理机构 | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86239 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马淑芳,田海军,吴小强,等. 半导体激光器用外延片及其制备方法. CN105071223A[P]. 2015-11-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105071223A.PDF（167KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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