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用于高功率半导体激光器的热沉以及制备方法
其他题名用于高功率半导体激光器的热沉以及制备方法
丛海兵; 郝明明; 牟中飞; 陶丽丽; 招瑜; 李京波
2017-04-26
专利权人广东工业大学
公开日期2017-04-26
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本申请提供了一种用于高功率半导体激光器的热沉,包括:金刚石基底;制备于所述金刚石基底表面的金属层;在所述金属层表面制备有用于焊接激光器芯片的焊接层。本发明使用高热导率的金刚石材料为基底制作热沉,提高半导体激光器芯片工作时的散热效率,降低芯片的工作温度,解决了高功率激光器芯片的散热不佳的技术问题。本申请还提供了一种用于高功率半导体激光器的热沉的制备方法,达到相同效果。
其他摘要本申请提供了一种用于高功率半导体激光器的热沉,包括:金刚石基底;制备于所述金刚石基底表面的金属层;在所述金属层表面制备有用于焊接激光器芯片的焊接层。本发明使用高热导率的金刚石材料为基底制作热沉,提高半导体激光器芯片工作时的散热效率,降低芯片的工作温度,解决了高功率激光器芯片的散热不佳的技术问题。本申请还提供了一种用于高功率半导体激光器的热沉的制备方法,达到相同效果。
申请日期2017-02-28
专利号CN106602401A
专利状态申请中
申请号CN201710112965.3
公开(公告)号CN106602401A
IPC 分类号H01S5/024
专利代理人罗满
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86214
专题半导体激光器专利数据库
作者单位广东工业大学
推荐引用方式
GB/T 7714
丛海兵,郝明明,牟中飞,等. 用于高功率半导体激光器的热沉以及制备方法. CN106602401A[P]. 2017-04-26.
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