Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种大功率8‑4μm半导体激光器及其制备方法 | |
| 其他题名 | 一种大功率8‑4μm半导体激光器及其制备方法 |
| 廖永平; 张宇; 魏思航; 郝宏玥; 徐应强; 牛智川 | |
| 2017-01-04 | |
| 专利权人 | 协同创新(北京)光电技术有限公司 |
| 公开日期 | 2017-01-04 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种大功率8‑4μm半导体激光器及其制备方法，涉及中红外激光器技术领域。本发明所述的激光器包括：有源区(包括InGaAsSb量子阱或AlGaInAsSb势垒层)、非掺杂AlGaInAsSb上波导层、绝缘层等结构。同时，本发明提出采用脊型宽面波导，波导刻蚀至上波导层，在绝缘层刻蚀出电注入窗口，形成电流注入区域；在沉积n面电极之前对磨抛面用稀盐酸溶液进行处理；另外，在激光器烧结时通入甲酸和氮气双路保护气体，旨在激光器能够获得大功率输出，避免焊料出现空洞和器件爬In现象，提高器件稳定性和寿命。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种大功率8‑4μm半导体激光器及其制备方法，涉及中红外激光器技术领域。本发明所述的激光器包括：有源区(包括InGaAsSb量子阱或AlGaInAsSb势垒层)、非掺杂AlGaInAsSb上波导层、绝缘层等结构。同时，本发明提出采用脊型宽面波导，波导刻蚀至上波导层，在绝缘层刻蚀出电注入窗口，形成电流注入区域；在沉积n面电极之前对磨抛面用稀盐酸溶液进行处理；另外，在激光器烧结时通入甲酸和氮气双路保护气体，旨在激光器能够获得大功率输出，避免焊料出现空洞和器件爬In现象，提高器件稳定性和寿命。 |
| 申请日期 | 2016-09-30 |
| 专利号 | CN106300015A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201610871786.3 |
| 公开（公告）号 | CN106300015A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 任岩 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86105 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 协同创新(北京)光电技术有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 廖永平,张宇,魏思航,等. 一种大功率8‑4μm半导体激光器及其制备方法. CN106300015A[P]. 2017-01-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN106300015A.PDF（131KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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