Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光元件及其制备方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光元件及其制备方法 |
| 桥本隆宏 | |
| 2005-12-28 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2005-12-28 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供了一种在p型覆层上沉积绝缘膜的半导体激光元件，其中可以通过抑制在半导体激光元件中的p型覆层上导致的热应力来防止半导体激光元件的体劣化。化合物半导体多层结构(2)通过依次在沉积方向上沉积n型覆层(8)、有源层(9)和具有形成于其上的脊部分(19)的p型覆层(10)来形成。然后，在化合物半导体多层结构(2)的沉积方向上沉积绝缘膜(3)，该绝缘膜由折射率与构成所述第二覆层(10)的材料不同、热膨胀系数与构成所述第二覆层(10)的材料接近的绝缘材料形成。本发明还涉及制造该半导体激光元件的方法。 |
| 其他摘要 | 本发明提供了一种在p型覆层上沉积绝缘膜的半导体激光元件，其中可以通过抑制在半导体激光元件中的p型覆层上导致的热应力来防止半导体激光元件的体劣化。化合物半导体多层结构(2)通过依次在沉积方向上沉积n型覆层(8)、有源层(9)和具有形成于其上的脊部分(19)的p型覆层(10)来形成。然后，在化合物半导体多层结构(2)的沉积方向上沉积绝缘膜(3)，该绝缘膜由折射率与构成所述第二覆层(10)的材料不同、热膨胀系数与构成所述第二覆层(10)的材料接近的绝缘材料形成。本发明还涉及制造该半导体激光元件的方法。 |
| 申请日期 | 2005-06-21 |
| 专利号 | CN1713471A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200510079415.3 |
| 公开（公告）号 | CN1713471A |
| IPC 分类号 | H01S3/04 | H01S5/22 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 陶凤波 | 侯宇 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86067 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 桥本隆宏. 半导体激光元件及其制备方法. CN1713471A[P]. 2005-12-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1713471A.PDF（1944KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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