Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 外差式声光频谱仪芯片的制备方法 | |
| 其他题名 | 外差式声光频谱仪芯片的制备方法 |
| 范俊清; 许承杰; 李也凡 | |
| 1999-11-10 | |
| 专利权人 | 中国科学院长春物理研究所 |
| 公开日期 | 1999-11-10 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 外差式声光频谱仪芯片的制备方法,它克服了光栅发散透镜制备技术难度大的缺点。首先在LiNbO3衬底上超精加工两个非球面短程透镜凹面,再进行精密抛光、超声清洗、高频溅射、高温扩散,制成Ti－LiNbO3波导,光刻换能器铝电极,再把半导体激光器和二极管阵列分别对接在波导的两个端面,该制备方法简单,探测容易,性能良好。 |
| 其他摘要 | 外差式声光频谱仪芯片的制备方法,它克服了光栅发散透镜制备技术难度大的缺点。首先在LiNbO3衬底上超精加工两个非球面短程透镜凹面,再进行精密抛光、超声清洗、高频溅射、高温扩散,制成Ti－LiNbO3波导,光刻换能器铝电极,再把半导体激光器和二极管阵列分别对接在波导的两个端面,该制备方法简单,探测容易,性能良好。 |
| 申请日期 | 1998-05-06 |
| 专利号 | CN1234332A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN97125630.6 |
| 公开（公告）号 | CN1234332A |
| IPC 分类号 | B29D11/00 |
| 专利代理人 | 王立伟 |
| 代理机构 | 中国科学院长春专利事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86063 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范俊清,许承杰,李也凡. 外差式声光频谱仪芯片的制备方法. CN1234332A[P]. 1999-11-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1234332A.PDF（197KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [范俊清]的文章 |
| [许承杰]的文章 |
| [李也凡]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [范俊清]的文章 |
| [许承杰]的文章 |
| [李也凡]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [范俊清]的文章 |
| [许承杰]的文章 |
| [李也凡]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论