一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法

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	一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法
其他题名	一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法
	刘波; 宋志棠; 封松林
	2014-02-05
专利权人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
公开日期	2014-02-05
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一设有字线的衬底，在所述字线上制备若干导电通孔下电极；在所述导电通孔下电极层上制备选择开关器件；继续制备与选择开关器件接触的导电互连通孔电极；接着制备与其接触的半导体激光器；在所述半导体激光器层上制备与其接触的导电透明电极；继续制备与其接触的相变材料层；继续在所述相变材料层上制备导电反射层；接着在所述导电反射层上制备导电通孔上电极并形成位线。该相变存储器单元的特点是利用激光信号实现信息的写入和擦除，利用电信号实现信息的读出，从而充分利用了激光写入的高速特性和电信号读出的高信噪比特性，实现高速的相变存储器。
其他摘要	本发明涉及一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一设有字线的衬底，在所述字线上制备若干导电通孔下电极；在所述导电通孔下电极层上制备选择开关器件；继续制备与选择开关器件接触的导电互连通孔电极；接着制备与其接触的半导体激光器；在所述半导体激光器层上制备与其接触的导电透明电极；继续制备与其接触的相变材料层；继续在所述相变材料层上制备导电反射层；接着在所述导电反射层上制备导电通孔上电极并形成位线。该相变存储器单元的特点是利用激光信号实现信息的写入和擦除，利用电信号实现信息的读出，从而充分利用了激光写入的高速特性和电信号读出的高信噪比特性，实现高速的相变存储器。
申请日期	2013-10-31
专利号	CN103559909A
专利状态	授权
申请号	CN201310534339.5
公开（公告）号	CN103559909A
IPC 分类号	G11C13/00 \| H01L27/24 \| H01L45/00
专利代理人	李仪萍
代理机构	上海光华专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86048
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘波,宋志棠,封松林. 一种光电混合存储的相变存储器结构及其制备方法. CN103559909A[P]. 2014-02-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103559909A.PDF（903KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文