Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法 | |
| 其他题名 | 一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法 |
| 王惠琼; 李东华; 周华; 康俊勇 | |
| 2016-07-06 | |
| 专利权人 | 厦门大学 |
| 公开日期 | 2016-07-06 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法，涉及薄膜材料的制备。包括以下步骤：1)将衬底清洗后用氮气吹干，然后转入分子束外延生长系统，进行氧等离子退火；2)将步骤1)经氧等离子退火后的衬底进行氮等离子处理，随后进行镁原子沉积；3)在步骤2)完成后，通过低温生长氧化锌缓冲层和高温生长氧化锌薄膜，即完成氧化镁衬底生长氧化锌薄膜。采用分子束外延生长设备在MgO衬底上制备高质量氧化锌单晶样品，通过衬底表面预处理工艺，获得高质量的氧化锌单晶薄膜，可以运用于紫外发光、激光二极管等方面，有很大的应用前景，工艺简单，可重复性好。 |
| 其他摘要 | 一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法，涉及薄膜材料的制备。包括以下步骤：1)将衬底清洗后用氮气吹干，然后转入分子束外延生长系统，进行氧等离子退火；2)将步骤1)经氧等离子退火后的衬底进行氮等离子处理，随后进行镁原子沉积；3)在步骤2)完成后，通过低温生长氧化锌缓冲层和高温生长氧化锌薄膜，即完成氧化镁衬底生长氧化锌薄膜。采用分子束外延生长设备在MgO衬底上制备高质量氧化锌单晶样品，通过衬底表面预处理工艺，获得高质量的氧化锌单晶薄膜，可以运用于紫外发光、激光二极管等方面，有很大的应用前景，工艺简单，可重复性好。 |
| 申请日期 | 2016-02-15 |
| 专利号 | CN105742158A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201610085270.6 |
| 公开（公告）号 | CN105742158A |
| IPC 分类号 | H01L21/02 |
| 专利代理人 | 马应森 |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86047 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王惠琼,李东华,周华,等. 一种氧化镁衬底生长氧化锌薄膜的方法. CN105742158A[P]. 2016-07-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105742158A.PDF（116KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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