双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法

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	双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法
其他题名	双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法
	张普; 王警卫; 梁雪杰; 宗恒军; 刘兴胜
	2012-09-19
专利权人	西安炬光科技有限公司
公开日期	2012-09-19
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法，以提高多量子阱半导体激光器的散热效率，实现大功率的激光输出。该双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，包括分别位于多量子阱芯片上方的上液体制冷器和下方的下液体制冷器、以及与多量子阱芯片处于同一层面用于隔离上、下液体制冷器的绝缘片；多量子阱芯片的负极面和/或正极面通过应力缓冲导电层与上液体制冷器和/或下液体制冷器连接；应力缓冲导电层的厚度使得多量子阱芯片位置处的总厚度与绝缘片位置处的总厚度相等。本发明采用上下两个微通道制冷器，大大增加散热面积，达到减小器件热阻，提高散热能力的目的。
其他摘要	本发明提供了一种双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法，以提高多量子阱半导体激光器的散热效率，实现大功率的激光输出。该双通道液体制冷多量子阱半导体激光器，包括分别位于多量子阱芯片上方的上液体制冷器和下方的下液体制冷器、以及与多量子阱芯片处于同一层面用于隔离上、下液体制冷器的绝缘片；多量子阱芯片的负极面和/或正极面通过应力缓冲导电层与上液体制冷器和/或下液体制冷器连接；应力缓冲导电层的厚度使得多量子阱芯片位置处的总厚度与绝缘片位置处的总厚度相等。本发明采用上下两个微通道制冷器，大大增加散热面积，达到减小器件热阻，提高散热能力的目的。
申请日期	2012-05-29
专利号	CN102684066A
专利状态	失效
申请号	CN201210171180.0
公开（公告）号	CN102684066A
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/042
专利代理人	陈广民
代理机构	西安智邦专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85989
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安炬光科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张普,王警卫,梁雪杰,等. 双通道液体制冷多量子阱半导体激光器及其制备方法. CN102684066A[P]. 2012-09-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102684066A.PDF（863KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文