添加导引光的条阵大功率半导体激光器的整形方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	添加导引光的条阵大功率半导体激光器的整形方法
其他题名	添加导引光的条阵大功率半导体激光器的整形方法
	谢伟民; 周崇喜; 杜春雷; 杨欢; 潘丽; 战盛龙
	2007-06-06
专利权人	中国科学院光电技术研究所
公开日期	2007-06-06
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	添加导引光的条阵大功率半导体激光器(High－Power Laser Diode Bar，简称LD)的整形方法：(1)通过计算光纤纤芯半径和孔径角一半的乘积，以及LD光束在快慢轴两个方向上的光参数积，确定对LD光束整形所需要折叠的次数，制作高反射效率的整形器；(2)采用快慢轴准直透镜阵列对分别对LD的快慢轴两个方向进行准直，得到条形的准直光斑；(3)安装整形器，实现光束的整形；(4)安装聚焦透镜和光纤，调节光纤到合适的位置，使输出的LD的功率最大；(5)从整形器的合适位置入射导引光，调节导引光到适当的位置，使从光纤输出的导引光的光功率达到最大。本发明光路设计紧凑合理，不改变LD的光路，避免了在LD光路中引入新的散射和反射损失，保证了LD的光路稳定性。
其他摘要	添加导引光的条阵大功率半导体激光器(High－Power Laser Diode Bar，简称LD)的整形方法：(1)通过计算光纤纤芯半径和孔径角一半的乘积，以及LD光束在快慢轴两个方向上的光参数积，确定对LD光束整形所需要折叠的次数，制作高反射效率的整形器；(2)采用快慢轴准直透镜阵列对分别对LD的快慢轴两个方向进行准直，得到条形的准直光斑；(3)安装整形器，实现光束的整形；(4)安装聚焦透镜和光纤，调节光纤到合适的位置，使输出的LD的功率最大；(5)从整形器的合适位置入射导引光，调节导引光到适当的位置，使从光纤输出的导引光的光功率达到最大。本发明光路设计紧凑合理，不改变LD的光路，避免了在LD光路中引入新的散射和反射损失，保证了LD的光路稳定性。
申请日期	2006-12-14
专利号	CN1975507A
专利状态	失效
申请号	CN200610165157.5
公开（公告）号	CN1975507A
IPC 分类号	G02B27/14 \| G02B27/00 \| G02B6/32 \| G02B6/26
专利代理人	贾玉忠 \| 卢纪
代理机构	北京科迪生专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85987
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院光电技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	谢伟民,周崇喜,杜春雷,等. 添加导引光的条阵大功率半导体激光器的整形方法. CN1975507A[P]. 2007-06-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1975507A.PDF（420KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文