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一种半导体激光器微通道热沉
其他题名一种半导体激光器微通道热沉
尧舜; 王智勇; 刘江
2010-09-15
专利权人山西飞虹微纳米光电科技有限公司
公开日期2010-09-15
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明涉及到一种半导体激光器微通道热沉,属于半导体光电子技术领域。为了改善现有的高功率半导体激光微通道热沉结构型能差、工艺难度大,成本高等不利现状,本发明利用三层组件结构代替现有五层结构,进而降低制作难度和成本并提高机械强度,且利用微通道壁的高度变化提高整体散热性能。这种新型微通道热沉结构实用于当前任何半导体激光列阵和叠阵的制备。
其他摘要本发明涉及到一种半导体激光器微通道热沉,属于半导体光电子技术领域。为了改善现有的高功率半导体激光微通道热沉结构型能差、工艺难度大,成本高等不利现状,本发明利用三层组件结构代替现有五层结构,进而降低制作难度和成本并提高机械强度,且利用微通道壁的高度变化提高整体散热性能。这种新型微通道热沉结构实用于当前任何半导体激光列阵和叠阵的制备。
申请日期2009-01-23
专利号CN101488640B
专利状态授权
申请号CN200910077833.7
公开(公告)号CN101488640B
IPC 分类号H01S5/024
专利代理人张慧
代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85971
专题半导体激光器专利数据库
作者单位山西飞虹微纳米光电科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
尧舜,王智勇,刘江. 一种半导体激光器微通道热沉. CN101488640B[P]. 2010-09-15.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN101488640B.PDF(244KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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