一种55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法

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	一种55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法
其他题名	一种55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法
	王俊; 成卓; 胡海洋; 马浩源; 杨泽园; 张然; 马星; 樊宜冰; 黄永清; 任晓敏
	2017-05-10
专利权人	北京邮电大学
公开日期	2017-05-10
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法，属于光通信用激光器材料和半导体光电子材料及其制造技术领域。所述材料包括在单晶InP衬底上依次制备得到的下DBR结构、激光器外延材料结构和上DBR结构，所述的下DBR结构包括多层介质图形结构及在其中生长的InP缓冲层和InP侧向外延层。本发明将纳米尺度侧向外延方法与传统Si/SiO2多层介质结构相结合，同时实现高反射率的下DBR结构与InP晶格匹配的虚拟衬底功能的方法；采用MOCVD方法解决了InP基长波长VCSEL外延材料的高反射率下DBR结构的材料制备问题，且省去了复杂的下DBR结构外延过程，减少VCSEL外延材料制备的成本，更适合于产业化的材料制备要求。
其他摘要	本发明公开了一种55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法，属于光通信用激光器材料和半导体光电子材料及其制造技术领域。所述材料包括在单晶InP衬底上依次制备得到的下DBR结构、激光器外延材料结构和上DBR结构，所述的下DBR结构包括多层介质图形结构及在其中生长的InP缓冲层和InP侧向外延层。本发明将纳米尺度侧向外延方法与传统Si/SiO2多层介质结构相结合，同时实现高反射率的下DBR结构与InP晶格匹配的虚拟衬底功能的方法；采用MOCVD方法解决了InP基长波长VCSEL外延材料的高反射率下DBR结构的材料制备问题，且省去了复杂的下DBR结构外延过程，减少VCSEL外延材料制备的成本，更适合于产业化的材料制备要求。
申请日期	2016-11-09
专利号	CN106654860A
专利状态	申请中
申请号	CN201610986904.5
公开（公告）号	CN106654860A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	官汉增
代理机构	北京永创新实专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85968
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京邮电大学
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,成卓,胡海洋,等. 一种55微米波长垂直面发射激光器材料结构及其制备方法. CN106654860A[P]. 2017-05-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106654860A.PDF（253KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文