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垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构
其他题名垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构
张建心; 刘安金; 江斌; 付非亚; 渠红伟; 郑婉华
2011-08-24
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-24
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明涉及半导体光电子器件技术领域,公开了一种垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构,该结构包括一个二维准周期光子晶体结构,该二维准周期光子晶体结构采用在垂直腔面发射激光器顶部半导体材料上刻蚀的圆形孔或椭圆形孔,且孔内填充低折射率材料。利用本发明,可以通过耦合波实现光腔之间的并行耦合,提高耦合效率,实现对远场发散角的调制。
其他摘要本发明涉及半导体光电子器件技术领域,公开了一种垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构,该结构包括一个二维准周期光子晶体结构,该二维准周期光子晶体结构采用在垂直腔面发射激光器顶部半导体材料上刻蚀的圆形孔或椭圆形孔,且孔内填充低折射率材料。利用本发明,可以通过耦合波实现光腔之间的并行耦合,提高耦合效率,实现对远场发散角的调制。
申请日期2011-03-22
专利号CN102163802A
专利状态失效
申请号CN201110069582.5
公开(公告)号CN102163802A
IPC 分类号H01S5/183
专利代理人周国城
代理机构中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85950
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
张建心,刘安金,江斌,等. 垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构. CN102163802A[P]. 2011-08-24.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN102163802A.PDF(351KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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