基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构

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	基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构
其他题名	基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构
	郭菲; 陆丹; 张瑞康; 王会涛; 王圩; 吉晨
	2015-09-16
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2015-09-16
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构，该结构主要包括三个部分：基于多模干涉耦合器的模式转换分离结构、π/2相移结构和基于多模干涉耦合器的3dB耦合器结构。在所述的π/2相移结构中，通过调谐波导芯层厚度，使在波导中传输模式的相移发生变化，当波导的长度为某一特定值时，其相移变化达到π/2。该模式复用/解复用器结构具有结构紧凑、器件尺寸小、信道带宽较大、插入损耗较低、通道串扰较低的优势，且其工艺制作简单，制作容差较大，非常适合于与半导体激光器、调制器、放大器、探测器等器件的单片集成，是研究基于模分复用技术的单片集成少模光通信收发模块的关键器件。
其他摘要	本发明涉及一种基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构，该结构主要包括三个部分：基于多模干涉耦合器的模式转换分离结构、π/2相移结构和基于多模干涉耦合器的3dB耦合器结构。在所述的π/2相移结构中，通过调谐波导芯层厚度，使在波导中传输模式的相移发生变化，当波导的长度为某一特定值时，其相移变化达到π/2。该模式复用/解复用器结构具有结构紧凑、器件尺寸小、信道带宽较大、插入损耗较低、通道串扰较低的优势，且其工艺制作简单，制作容差较大，非常适合于与半导体激光器、调制器、放大器、探测器等器件的单片集成，是研究基于模分复用技术的单片集成少模光通信收发模块的关键器件。
申请日期	2015-06-23
专利号	CN104914506A
专利状态	授权
申请号	CN201510348846
公开（公告）号	CN104914506A
IPC 分类号	G02B6/28
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85922
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郭菲,陆丹,张瑞康,等. 基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构. CN104914506A[P]. 2015-09-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104914506A.PDF（483KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文