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铟镧钛氧化物透明导电薄膜
其他题名铟镧钛氧化物透明导电薄膜
刘星元; 刘晓新; 王宁
2010-06-23
专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期2010-06-23
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明涉及一种可应用于液晶显示屏、电致发光器件、太阳能电池、有机和无机半导体激光器等光电子器件的铟镧钛氧化物透明导电薄膜,它是在In2O3基体中掺杂La和Ti元素所构成的In-La-Ti-O氧化物,其中Ti与In的质量比为0.002∶1至0.3∶1,La和Ti的质量和与In的质量比为0.005∶1至0.4∶1。该透明导电薄膜具有化学稳定性好、导电性能优良、可见光透过率高以及功函数高的优点,有效地提高光电子器件的亮度或光电转换效率等性能。
其他摘要本发明涉及一种可应用于液晶显示屏、电致发光器件、太阳能电池、有机和无机半导体激光器等光电子器件的铟镧钛氧化物透明导电薄膜,它是在In2O3基体中掺杂La和Ti元素所构成的In-La-Ti-O氧化物,其中Ti与In的质量比为0.002∶1至0.3∶1,La和Ti的质量和与In的质量比为0.005∶1至0.4∶1。该透明导电薄膜具有化学稳定性好、导电性能优良、可见光透过率高以及功函数高的优点,有效地提高光电子器件的亮度或光电转换效率等性能。
申请日期2010-02-09
专利号CN101752027A
专利状态失效
申请号CN201010106868.1
公开(公告)号CN101752027A
IPC 分类号H01B5/14 | H01B1/08
专利代理人赵炳仁
代理机构长春菁华专利商标代理事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85921
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘星元,刘晓新,王宁. 铟镧钛氧化物透明导电薄膜. CN101752027A[P]. 2010-06-23.
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CN101752027A.PDF(779KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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