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一种半导体激光器
其他题名一种半导体激光器
刘兴胜; 王警卫; 邢卓; 侯栋; 李小宁; 沈泽南
2016-01-13
专利权人西安炬光科技股份有限公司
公开日期2016-01-13
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型公开一种采用新型金属键合方法制备的半导体激光器,具有可靠性、缺陷少的优点,通过施加热加压保压使得半导体激光器芯片上的金属键合媒介层与散热器表面的关键层形成合金相结构,达到半导体激光器芯片和散热器结合紧密的目的,降低了空洞等缺陷,在进行金属键合时,需求温度低于关键层材料熔点以下,可以降低由于散热器与半导体激光器芯片热膨胀系数不匹配导致的较大热应力。
其他摘要本实用新型公开一种采用新型金属键合方法制备的半导体激光器,具有可靠性、缺陷少的优点,通过施加热加压保压使得半导体激光器芯片上的金属键合媒介层与散热器表面的关键层形成合金相结构,达到半导体激光器芯片和散热器结合紧密的目的,降低了空洞等缺陷,在进行金属键合时,需求温度低于关键层材料熔点以下,可以降低由于散热器与半导体激光器芯片热膨胀系数不匹配导致的较大热应力。
申请日期2015-09-30
专利号CN204966960U
专利状态授权
申请号CN201520765468
公开(公告)号CN204966960U
IPC 分类号H01S5/024
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85900
专题半导体激光器专利数据库
作者单位西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
刘兴胜,王警卫,邢卓,等. 一种半导体激光器. CN204966960U[P]. 2016-01-13.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
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