Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光元件的制造方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光元件的制造方法 |
| 角田笃勇; 菅原章义 | |
| 2006-05-03 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2006-05-03 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种半导体激光元件的制造方法，其抑制盖层和第三包层的变形，而把中间层的突起部除去。其在第二蚀刻工序中，把面临第三包层(33)和蚀刻停止层(31)的中间层(34)的外周部(46)用抗蚀剂层(48)覆盖，至少把第三包层(33)不可避免地除去，蚀刻中间层(34)和盖层(35)。这样，把中间层(34)的突出部(45)除去，且能防止把盖层(35)不希望地被蚀刻，与层合方向大致垂直的方向上制造没有凹凸的脊部，防止动作电压的增大和外部微分量子效率的降低。 |
| 其他摘要 | 一种半导体激光元件的制造方法，其抑制盖层和第三包层的变形，而把中间层的突起部除去。其在第二蚀刻工序中，把面临第三包层(33)和蚀刻停止层(31)的中间层(34)的外周部(46)用抗蚀剂层(48)覆盖，至少把第三包层(33)不可避免地除去，蚀刻中间层(34)和盖层(35)。这样，把中间层(34)的突出部(45)除去，且能防止把盖层(35)不希望地被蚀刻，与层合方向大致垂直的方向上制造没有凹凸的脊部，防止动作电压的增大和外部微分量子效率的降低。 |
| 申请日期 | 2005-10-31 |
| 专利号 | CN1767286A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200510118762.2 |
| 公开（公告）号 | CN1767286A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 |
| 专利代理人 | 李贵亮 | 杨梧 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85883 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 角田笃勇,菅原章义. 半导体激光元件的制造方法. CN1767286A[P]. 2006-05-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1767286A.PDF（1022KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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