Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种多重提拉单晶硅的制造方法 | |
| 其他题名 | 一种多重提拉单晶硅的制造方法 |
| 沈思情; 刘浦锋; 宋洪伟; 陈猛 | |
| 2016-08-24 | |
| 专利权人 | 上海超硅半导体有限公司 |
| 公开日期 | 2016-08-24 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供了一种多重提拉单晶硅的制造方法，包括：采用CZ法拉制单晶硅棒，拉制完一根晶体后进行再加料继续拉制下一根，再加料时，使用高纯石英管输送原料，通过激光二极管阵列照射石英坩埚内中间的多晶硅块料，使之熔化时间加快，减少熔体内原料在高温下的熔化时间。所采用的激光二极管阵列安装在拉晶炉主腔体的窗口上，激光二极管的功率为5‑50瓦，波长在600‑900nm范围内。该制造方法可有效降低生产成本、提高生产效率和晶体品质。 |
| 其他摘要 | 本发明提供了一种多重提拉单晶硅的制造方法，包括：采用CZ法拉制单晶硅棒，拉制完一根晶体后进行再加料继续拉制下一根，再加料时，使用高纯石英管输送原料，通过激光二极管阵列照射石英坩埚内中间的多晶硅块料，使之熔化时间加快，减少熔体内原料在高温下的熔化时间。所采用的激光二极管阵列安装在拉晶炉主腔体的窗口上，激光二极管的功率为5‑50瓦，波长在600‑900nm范围内。该制造方法可有效降低生产成本、提高生产效率和晶体品质。 |
| 申请日期 | 2016-05-30 |
| 专利号 | CN105887185A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201610364057.9 |
| 公开（公告）号 | CN105887185A |
| IPC 分类号 | C30B15/00 | C30B15/16 | C30B29/06 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85826 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海超硅半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈思情,刘浦锋,宋洪伟,等. 一种多重提拉单晶硅的制造方法. CN105887185A[P]. 2016-08-24. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105887185A.PDF（127KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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