利用Cr4+:YAG晶体各向异性特性调控被动调Q激光输出特性的激光器装置及方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	利用Cr4+:YAG晶体各向异性特性调控被动调Q激光输出特性的激光器装置及方法
其他题名	利用Cr4+:YAG晶体各向异性特性调控被动调Q激光输出特性的激光器装置及方法
	于欣; 马欲飞; 李旭东; 闫仁鹏; 樊荣伟; 彭江波; 陈德应; 杨超博; 白云昌
	2014-08-13
专利权人	哈尔滨工业大学
公开日期	2014-08-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种利用Cr4+:YAG晶体各向异性特性调控被动调Q激光输出特性的激光器装置及方法，所述装置包括沿光束传播方向依次设置的半导体激光泵浦源(1)、第一非球面透镜(2)、第二非球面透镜(3)、激光前腔镜(4)、激光晶体(5)、具有旋转调节功能的调整架(7)、Cr4+:YAG晶体(8)、激光输出镜(9)，所述方法由以下步骤实现：步骤一、构建Cr4+:YAG晶体被动调Q激光输出；步骤二、通过旋转调节调整架，进而实现激光谐振腔内Cr4+:YAG晶体能量透过率的各向异性改变，最终实现被动调Q激光输出性能的调控。本发明通过利用Cr4+:YAG晶体各向异性的能量透过率来实现被动调Q激光输出性能的控制，是一种简单易行的办法。
其他摘要	一种利用Cr4+:YAG晶体各向异性特性调控被动调Q激光输出特性的激光器装置及方法，所述装置包括沿光束传播方向依次设置的半导体激光泵浦源(1)、第一非球面透镜(2)、第二非球面透镜(3)、激光前腔镜(4)、激光晶体(5)、具有旋转调节功能的调整架(7)、Cr4+:YAG晶体(8)、激光输出镜(9)，所述方法由以下步骤实现：步骤一、构建Cr4+:YAG晶体被动调Q激光输出；步骤二、通过旋转调节调整架，进而实现激光谐振腔内Cr4+:YAG晶体能量透过率的各向异性改变，最终实现被动调Q激光输出性能的调控。本发明通过利用Cr4+:YAG晶体各向异性的能量透过率来实现被动调Q激光输出性能的控制，是一种简单易行的办法。
申请日期	2014-05-24
专利号	CN103986061A
专利状态	失效
申请号	CN201410225332.X
公开（公告）号	CN103986061A
IPC 分类号	H01S5/06
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85770
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	哈尔滨工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	于欣,马欲飞,李旭东,等. 利用Cr4+:YAG晶体各向异性特性调控被动调Q激光输出特性的激光器装置及方法. CN103986061A[P]. 2014-08-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103986061A.PDF（438KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文