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量子光子成像器及其制造方法
其他题名量子光子成像器及其制造方法
H.S.艾尔-古鲁里; R.G.W.布朗; D.A.麦克奈尔; H.登贝尔; A.J.兰佐内
2017-10-17
专利权人奥斯坦多科技公司
公开日期2017-10-17
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要由数字可寻址多色像素的空间阵列构成的发射量子光子成像器。每个像素是多个半导体激光二极管的垂直堆叠,每个半导体激光二极管可以产生不同颜色的激光。在每个多色像素内,从二极管的堆叠产生的光垂直于成像器器件的平面通过多个垂直波导发射,该垂直波导耦合于构成成像器器件的多个激光二极管中的每个的光学限制区域。构成单个像素的激光二极管中的每个是单独可寻址的,使每个像素能够以每个颜色的任何需要的开关占空比同时发射与激光二极管关联的颜色的任何组合。每个个体多色像素可以通过控制它们相应激光二极管的开关占空比同时发射需要的颜色和亮度值。
其他摘要由数字可寻址多色像素的空间阵列构成的发射量子光子成像器。每个像素是多个半导体激光二极管的垂直堆叠,每个半导体激光二极管可以产生不同颜色的激光。在每个多色像素内,从二极管的堆叠产生的光垂直于成像器器件的平面通过多个垂直波导发射,该垂直波导耦合于构成成像器器件的多个激光二极管中的每个的光学限制区域。构成单个像素的激光二极管中的每个是单独可寻址的,使每个像素能够以每个颜色的任何需要的开关占空比同时发射与激光二极管关联的颜色的任何组合。每个个体多色像素可以通过控制它们相应激光二极管的开关占空比同时发射需要的颜色和亮度值。
申请日期2008-09-16
专利号CN107257086A
专利状态申请中
申请号CN201710532448.1
公开(公告)号CN107257086A
IPC 分类号H01S5/40 | B82Y20/00 | H04N9/31 | H01S5/022 | H01S5/10 | H01S5/18 | H01S5/20 | H01S5/30 | H01S5/343
专利代理人秦琳 | 付曼
代理机构中国专利代理(香港)有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85746
专题半导体激光器专利数据库
作者单位奥斯坦多科技公司
推荐引用方式
GB/T 7714
H.S.艾尔-古鲁里,R.G.W.布朗,D.A.麦克奈尔,等. 量子光子成像器及其制造方法. CN107257086A[P]. 2017-10-17.
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