Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器件 | |
| 其他题名 | 半导体激光器件 |
| 阿部真司; 八木哲哉; 宫下宗治; 西口晴美; 大仓裕二; 笠井信之; 田代贺久; 谷村纯二 | |
| 2003-01-22 | |
| 专利权人 | 三菱电机株式会社 |
| 公开日期 | 2003-01-22 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明的课题是在具有采用量子阱结构的无序化工艺的窗结构区的半导体激光器件中，得到高可靠性和良好温度特性的半导体激光器件。在具有借助于硅离子注入和其后的热处理使量子阱结构的有源层无序化而形成的窗结构区的半导体激光器件中，在窗结构区10a及其附近(上夹层9a)实际上不存在位错环。因此，能够防止由位错环引起的半导体激光器件的退化，能改善半导体激光器件的可靠性。 |
| 其他摘要 | 本发明的课题是在具有采用量子阱结构的无序化工艺的窗结构区的半导体激光器件中，得到高可靠性和良好温度特性的半导体激光器件。在具有借助于硅离子注入和其后的热处理使量子阱结构的有源层无序化而形成的窗结构区的半导体激光器件中，在窗结构区10a及其附近(上夹层9a)实际上不存在位错环。因此，能够防止由位错环引起的半导体激光器件的退化，能改善半导体激光器件的可靠性。 |
| 申请日期 | 2002-05-13 |
| 专利号 | CN1392641A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN02119180.8 |
| 公开（公告）号 | CN1392641A |
| IPC 分类号 | H01S5/16 | H01S5/34 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 刘宗杰 | 叶恺东 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85731 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿部真司,八木哲哉,宫下宗治,等. 半导体激光器件. CN1392641A[P]. 2003-01-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1392641A.PDF（829KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [阿部真司]的文章 |
| [八木哲哉]的文章 |
| [宫下宗治]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [阿部真司]的文章 |
| [八木哲哉]的文章 |
| [宫下宗治]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [阿部真司]的文章 |
| [八木哲哉]的文章 |
| [宫下宗治]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论